2015-ben jöhet a Sony ReRam

A Sony a Micron Technologyval karöltve kezdte el kifejleszteni saját rezisztív RAM technológiáját (ReRAM). A rezisztív memóriákat főként hosszabb távú adattárolásra használnák, ez alapvetően a flash memóriák alkalmazási területe is. A NAND flash technológia azonban jelentősen lassabb sebességet kínál, mint a DRAM-ok (dinamikus, folyamatos frissítést igénylő, de „felejtő” memóriák), amelyek főként operatív memóriaként, azaz a processzorok mellett a programok futtatásához kerülnek alkalmazásra, a NAND Flash-ekhez képest kisebb kapacitásban.

A ReRAM a DRAM és a NAND flash közötti űr kitöltésére készül, azaz a DRAM-nál nagyobb kapacitással, de a NAND flash-nél jobb sebességgel. A fő alkalmazási terület az okostelefonok és táblagépek lehetnek, ahol a nagykapacitású NAND flash háttértárakat válthatják ki úgy, hogy azoknál jelentősen nagyobb sebességet kínálnak majd.

Az első, 20 nm-es technológiájú 16 Gbit-es ReRAM chip-eket tömeggyártását 2015-ben kezdi a Sony.